Intel推出StrataFLASH®记忆体-资讯风叶

Intel推出StrataFLASH®记忆体-资讯 凭着Intel的0.25和0.18微米之每储格两位技术，StrataFLASH记忆体 (J3) 能在相同的空间内将可存储的位数提升两倍。目前，这StrataFLASH记忆体 (J3) 具备有256MB、128MB、64MB和32MB几种选择，为快闪市场带来可靠的每格两位新技术。除了能在更小的空间造出更高的密度外，器件还有高速介面、最低每位成本的NOR器件，以及可支援代码和数据储存，并且可轻易过渡至未来的器件。　　采用与先前每格一位产品相同的NOR基础ETOX技术，这J3器件揉合了自1987年出产以来所有快速制造技术的优点，令到这J3元件适合使用在一些讲求言密度和低成本的代码和数据存储应用上。当中包括网络、电讯、数码机顶盒、音频记录、数码影像和其他消费电器方面。　 　　性能表现 　　 110/115/150微秒的初始存取速度 　　 125毫微秒初始存取速度(只在256MB型号提供) 　　 25毫微秒异步分页模式读取 　　 30毫微秒异步分页模式读取 (只在256MB型号提供) 　　 32位元组写入缓冲 　　 每位元电子五金组6.8微秒的有效编保暖鞋程时间 　　软件 　　 支援程式及拭除暂停 　　 快闪数据整合器 (FDI)蒸馏水机，共用 　　 快闪介面 (CFI) 兼容 　　保安性 　　 128位防护暂存器 　　　- 64位独一器件识别器 　　　- 64位用户可编程 OTP 储格 　　 配备VPEN=GND的绝对防护 　　 个别区块锁定 　　 在电源蠹换时的区块拭除/程式闭锁 　　　体系结构 　　 多层储格技术：低成本下的高密度 　　 高密度对称128KB区块　　- 256MB (256区块) (只0.18微米提供)　　- 128MB (128区块)　　- 64MB (64区块)　　- 32MB (32区块) 　　品质及可靠度 　　 操作温度由负40度至正85度摄氏 　　 每区块可进行最少10万次拭除周期 　　 0.18微米ETOX VII制程(J3C) 　　 0.25微米ETOX VI制程(J3A) 　　封装及电压 　　 56引线TSOP封装 　　 64-球 Intel简便BGA封装 　　 48-球 Intel VF BGA封装( 32及64MB) (只有x16型号) 　　 VCC = 2.7伏至3.6伏 　　 VCCQ = 2.7伏至3.6伏 （编辑 keil线材加工）